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（中心社記者韋樞台北7日電）工研院與相幹團隊研發 「半導體微波退火」手藝，所利用微波管頻率近似家用 微波爐，具快速降溫、廉價及到達99.5%晶圓平均性的 優勢，除已技轉半導體廠，並入圍2017全球百大科技獎 。 連系工研院、交通大學、國家奈米元件實驗室研發 的「半導體微波退火」手藝，利用的2.45GHz微波管頻 率與家用微波爐類似，可晉升半導體製程良率，這項技 術已技轉給半導體廠，並向光電業推行，且入圍2017全 球百大科技獎(R&D 100 Awards)，估計來歲可見更多應 用功效。 工研院機械所先進機械手藝組專案經理黃昆平示意 ，半導體製程退火並非單指降溫，而是指一段加熱到降 溫的敏捷起落溫進程。半導體製程退火的目標在於半導 體晶圓中摻入雜質，致使晶圓的材料性質發生劇烈轉變 ，是以需要用退火法式恢復晶圓晶體的構造和消弭缺點 。 黃昆平诠釋，屬於前段製程的退火進程，對半導體 產品良率影響重大，今朝7奈米製程需要將退火過程當中 的磊晶受熱溫度節制在攝氏600度以下，未來製程將朝 更小尺寸發展，所要求的溫度更低，預期磊晶受熱溫度 必需在攝氏450度以下。 黃昆平指出，傳統快速熱退火可以一次處理多片晶 圓，但溫度高、功課時候長，進程產生的熱分散效應， 使得退火溫度沒法再降落，不宜用於愈來愈精密藐小的 元件。但新的「半導體微波退火」卻是直接以微波波長 加熱晶圓的矽晶原子，讓原子吸收能量，這個方式可避 免熱散佈效應，到達低溫退火的方針，且快速退火的時 間僅為傳統退火技術的1/3。 他分析，市情上由美國廠商主導的微波退火手藝屬 高頻微波，不但管束出口，獲得成本太高，且高頻微波 管的利用壽命約500小時。工研院和相幹團隊的「半導 體微波退火」採用微波管的頻率與一般工業級的微波管 附近，平均壽命達3000小時，本錢上有絕對優勢。 另外一項沖破則是對多片晶圓的退火腔體的創新設計 ，晉升了微波能量的穿透性，晶圓的平均性也可從95% 提拔到99.5%，優於廠商要求的99%；是以可以同時處置懲罰 多片晶圓，成為將來奈米品級晶圓退火抱負的解決方案 。1061007